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Ingénieur - Caractérisation électrique des pièges des transistors à haute mobilité électronique en Nitrure de Gallium

Le GPM recrute un ingénieur dans le cadre du projet « SMART MODEL » financé par la Région Normandie et la BPI. Le CDD d’une durée de 12 mois commencera au plus tôt. 

Description des actions

L’ingénieur devra développer l’analyse en régime pulsé afin de maîtriser les phénomènes d’auto-échauffement des transistors GaN. À partir des variations des paramètres électriques mesurés sur les bancs déjà développés ou mis à jour pour cette étude, il devra mettre en relation les phénomènes physiques observés à l’intérieur du transistor. A partir des tests en régime pulsé, l’objectif sera d’analyser et rechercher les phénomènes de pièges en surface ou aux interfaces (Drain lag et Gate lag). 

Profil du candidat

Le candidat, titulaire de niveau licence minimum ou ingénieur doit avoir une formation dans le domaine de l’électronique avec des connaissances sur les transistors de puissance. Un candidat ayant des qualités d’expérimentateur est souhaitable. Une expérience dans le domaine de la microscopie peut être un plus mais n’est pas obligatoire. Il devra être capable également d’approfondir les aspects de la simulation physique des composants.

Contact : Olivier Latry, 02 32 95 51 22. Les candidats intéressés devront envoyer leur candidature (CV + lettre de motivation) à : Olivier.Latry@univ-rouen.fr