Stage M2 : Caractérisation électrique des pièges des transistors à haute mobilité électronique en Nitrure de Gallium

L'objet de ce stage est d'étudier les phénomènes de pièges et la fiabilité des dernières générations de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base de nitrure de gallium (GaN). Différentes méthodes de caractérisation du comportement des pièges dans les HEMTs GaN existent, telles que la spectroscopie transitoire des niveaux profonds (DLTS : Deep Level Transient Spectroscopy) (capacité, courant pour respectivement C-DLTS et I-DLTS), A-DCTS (Athermal Direct Current Transient Spectroscopy), DLOS (Deep Level Optical Spectroscopy), les mesures transitoires Gate-Lag (GL) et Drain-Lag (DL), l’étude de la dispersion en fréquence de la transconductance, mesure des paramètres S ou la mesure du bruit basse fréquence. Les gammes temporelles et thermiques explorées par ces techniques sont parfois différentes et soulignent la complémentarité de ces mesures.

Contact : Les candidats intéressés devront envoyer leur candidature (CV + lettre de motivation+Relevés de notes) à : niemat.moultif0@univ-rouen.fr